Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/15725
Efficiency and reliability enhancement of silicon nanocrystal field-effect luminescence from nitride-oxide gate stacks
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
We report on a field-effect light emitting device based on silicon nanocrystals in silicon oxide deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The device shows high power efficiency and long lifetime. The power efficiency is enhanced up to 0.1 %25 by the presence of a silicon nitride control layer. The leakage current reduction induced by this nitride buffer effectively increases the power efficiency two orders of magnitude with regard to similarly processed devices with solely oxide. In addition, the nitride cools down the electrons that reach the polycrystalline silicon gate lowering the formation of defects, which significantly reduces the device degradation.
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Citació
PERÁLVAREZ BARRERA, Mariano josé, CARRERAS, Josep, BARRETO, Jorge, MORALES, A. (ángel), DOMÍNGUEZ, Carlos (domínguez horna), GARRIDO FERNÁNDEZ, Blas. Efficiency and reliability enhancement of silicon nanocrystal field-effect luminescence from nitride-oxide gate stacks. _Applied Physics Letters_. 2008. Vol. 92, núm. 24, pàgs. 241104-1-241104-3. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 1077-3118. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/15725]