Carregant...
Tipus de document
Treball de fi de grauData de publicació
Llicència de publicació
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/189786
Effect of vacancies on the heat conduction of silicon nanowires. A Molecular Dynamics Simulation Approach
Títol de la revista
Autors
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Many experiment and theoretical results suggest a strong reduction of the thermal conductivity in silicon nanowires with respect to the bulk form. Recent experimental evidences also reported that the thermal conductivity decreases when the silicon nanowire structure is altered by the extraction of some atoms, although, few researches have focused on this topic. The aim of this report is to simulate by Molecular Dynamics the reduction of the thermal conductivity in silicon nanowires with different percentages of vacancies. The simulation method used is the Approach to Equilibrium Molecular Dynamics applying a Tersoff interaction potential. We observe that computational simulations indicates a significant variation of the heat transport due to the defect points
Descripció
Treballs Finals de Grau de Física, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Curs: 2022, Tutor: Riccardo Rurali, cotutor: Miguel Rubí
Matèries (anglès)
Citació
Col·leccions
Citació
TÚNICA ROSICH, Marc. Effect of vacancies on the heat conduction of silicon nanowires. A Molecular Dynamics Simulation Approach. [consulta: 25 de febrer de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/189786]