Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió acceptadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47603
Structure of a-Si:H/a-Si1-xCx:H multilayers deposited in a reactor with automated substrate holder
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
This paper deals with the structural properties of a-Si:H/a-Si1-xCx: H multilayers deposited by glow-discharge decomposition of SiH4 and SiH4 and CH4 mixtures. The main feature of the rf plasma reactor is an automated substrate holder. The plasma stabilization time and its influence on the multilayer obtained is discussed. A series of a-Si:H/a-Si1-xCx: H multilayers has been deposited and characterized by secondary ion mass spectrometry (SIMS), X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). No asymmetry between the two types of interface has been observed. The results show that the multilayers present a very good periodicity and low roughness. The difficulty of determining the abruptness of the multilayer at the nanometer scale is discussed.
Matèries (anglès)
Citació
Col·leccions
Citació
BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ASENSI LÓPEZ, José miguel, PUIGDOLLERS I GONZÁLEZ, Joaquim, ANDREU I BATALLÉ, Jordi, MORENZA GIL, José luis. Structure of a-Si:H/a-Si1-xCx:H multilayers deposited in a reactor with automated substrate holder. _Vacuum_. 1993. Vol. 44, núm. 2, pàgs. 129-134. [consulta: 19 de març de 2026]. ISSN: 0042-207X. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47603]