Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

554454.pdf (133.63 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2008

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47285

Progress in a-Si:H/c-Si heterojunction emitters obtained by Hot-Wire CVD at 200°C

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.06.192

Resum

In this work, we investigate heterojunction emitters deposited by Hot-Wire CVD on p-type crystalline silicon. The emitter structure consists of an n-doped film (20 nm) combined with a thin intrinsic hydrogenated amorphous silicon buffer layer (5 nm). The microstructure of these films has been studied by spectroscopic ellipsometry in the UV-visible range. These measurements reveal that the microstructure of the n-doped film is strongly influenced by the amorphous silicon buffer. The Quasy-Steady-State Photoconductance (QSS-PC) technique allows us to estimate implicit open-circuit voltages near 700 mV for heterojunction emitters on p-type (0.8 Ω·cm) FZ silicon wafers. Finally, 1 cm 2 heterojunction solar cells with 15.4% conversion efficiencies (total area) have been fabricated on flat p-type (14 Ω·cm) CZ silicon wafers with aluminum back-surface-field contact.

Matèries

Deposició química en fase vapor, Cèl·lules solars, Teoria quàntica, Microelectrònica

Matèries (anglès)

Chemical vapor deposition, Solar cells, Quantum theory, Microelectronics

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

MUÑOZ RAMOS, David, et al. Progress in a-Si:H/c-Si heterojunction emitters obtained by Hot-Wire CVD at 200°C. Thin Solid Films. 2008. Vol. 516, num. 5, pags. 761-764. ISSN 0040-6090. [consulted: 11 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/47285

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre