Fitxers

525191.pdf (175.94 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2006

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47298

Low temperature amorphous and nanocrystalline silicon thin film transistors deposited by Hot-Wire CVD on glass substrate

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.07.217

Resum

Amorphous and nanocrystalline silicon films obtained by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition have been incorporated as active layers in n-type coplanar top gate thin film transistors deposited on glass substrates covered with SiO 2. Amorphous silicon devices exhibited mobility values of 1.3 cm 2 V - 1 s - 1, which are very high taking into account the amorphous nature of the material. Nanocrystalline transistors presented mobility values as high as 11.5 cm 2 V - 1 s - 1 and resulted in low threshold voltage shift (∼ 0.5 V).

Matèries

Transistors, Pel·lícules fines, Silici, Nanocristalls, Deposició química en fase vapor

Matèries (anglès)

Transistors, Thin films, Silicon, Nanocrystals, Chemical vapor deposition

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

FONRODONA TURON, Marta, et al. Low temperature amorphous and nanocrystalline silicon thin film transistors deposited by Hot-Wire CVD on glass substrate. Thin Solid Films. 2006. Vol. 501, num. 1-2, pags. 303-306. ISSN 0040-6090. [consulted: 24 of July of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/47298

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre