Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47298

Low temperature amorphous and nanocrystalline silicon thin film transistors deposited by Hot-Wire CVD on glass substrate

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

Amorphous and nanocrystalline silicon films obtained by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition have been incorporated as active layers in n-type coplanar top gate thin film transistors deposited on glass substrates covered with SiO 2. Amorphous silicon devices exhibited mobility values of 1.3 cm 2 V - 1 s - 1, which are very high taking into account the amorphous nature of the material. Nanocrystalline transistors presented mobility values as high as 11.5 cm 2 V - 1 s - 1 and resulted in low threshold voltage shift (∼ 0.5 V).

Citació

Citació

FONRODONA TURON, Marta, et al. Low temperature amorphous and nanocrystalline silicon thin film transistors deposited by Hot-Wire CVD on glass substrate. Thin Solid Films. 2006. Vol. 501, num. 1-2, pags. 303-306. ISSN 0040-6090. [consulted: 15 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/47298

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre