Miniatura

Fitxers

585156.pdf (470.5 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2008-03-03

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/15642

Direct modulation of electroluminescence from silicon nanocrystals beyond radiative recombination rates

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.2889499

Resum

We propose a light emitting transistor based on silicon nanocrystals provided with 200 Mbits/ s built-in modulation. Suppression of electroluminescence from silicon nanocrystals embedded into the gate oxide of a field effect transistor is achieved by fast Auger quenching. In this process, a modulating drain signal causes heating of carriers in the channel and facilitates the charge injection into the nanocrystals. This excess of charge enables fast nonradiative processes that are used to obtain 100% modulation depths at modulating voltages of 1 V.

Matèries

Luminescència, Conductivitat elèctrica, Semiconductors

Matèries (anglès)

Luminescence, Electric conductivity, Semiconductors

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)
<b>Publicacions de projectes de recerca finançats per la UE</b>

Citació

CARRERAS, Josep, ALBIOL I COBOS, Jordi, GARRIDO FERNÁNDEZ, Blas, BONAFOS, Caroline, MONTSERRAT I MARTÍ, Josep. Direct modulation of electroluminescence from silicon nanocrystals beyond radiative recombination rates. _Applied Physics Letters_. 2008. Vol. 92, núm. 9, pàgs. 091103-1-91103-3. [consulta: 10 de gener de 2026]. ISSN: 1077-3118. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/15642]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre