Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/15642

Direct modulation of electroluminescence from silicon nanocrystals beyond radiative recombination rates

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

We propose a light emitting transistor based on silicon nanocrystals provided with 200 Mbits/ s built-in modulation. Suppression of electroluminescence from silicon nanocrystals embedded into the gate oxide of a field effect transistor is achieved by fast Auger quenching. In this process, a modulating drain signal causes heating of carriers in the channel and facilitates the charge injection into the nanocrystals. This excess of charge enables fast nonradiative processes that are used to obtain 100% modulation depths at modulating voltages of 1 V.

Citació

Citació

CARRERAS, Josep, et al. Direct modulation of electroluminescence from silicon nanocrystals beyond radiative recombination rates. Applied Physics Letters. 2008. Vol. 92, num. 9, pags. 091103-1-91103-3. ISSN 1077-3118. [consulted: 19 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/15642

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre