Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

gorostiza.pdf (74.15 MB)

Tipus de document

Tesi

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2000-02-18

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/34939

Metal Deposition on Silicon from Fluoride Solution.

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

[eng] Metallic deposits can be produced on the surface of silicon crystals by immersion in aqueous solutions containing fluoride and the metallic ions. This work aims to elucidate the general mechanism of the deposition process, based on "in situ" electrochemical measurements under potentiostatic control and "ex situ" microscopic and spectroscopic techniques. The mechanism developed takes into account the classical concepts of semiconductor electrochemistry, as well as the recent advances in the understanding of silicon chemistry. The consequences of this study and its technological applications are also discussed.

Matèries

Silici, Electrònica, Superfícies (Matemàtica)

Matèries (anglès)

Silicon, Electronics, Surfaces

Citació

Col·leccions

Tesis Doctorals - Departament - Electrònica

Citació

GOROSTIZA LANGA, Pablo Ignacio. Metal Deposition on Silicon from Fluoride Solution. ISBN 8469990306. [consulted: 21 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/34939

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre