Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/8584
Improved equivalent circuit and analytical model for amorphous silicon solar cells and modules
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
An improved equivalent circuit for hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) solar cells and modules is presented. It is based on the classic combination of a diode with an exponential current-voltage characteristic, of a photocurrent source plus a new term representing additional recombination losses in the i-layer of the device. This model/equivalent circuit matches the I(V) curves of a-Si:H cells over an illumination range of six orders of magnitude. The model clearly separates effects related to the technology of the device (series and parallel resistance) and effects related to the physics of the p-i-n junction (recombination losses). It also allows an effective /spl mu//spl tau/ product in the i-layer of the device to be determined, characterizing its state of degradation.
Citació
Col·leccions
Citació
MERTEN, Jens, ASENSI LÓPEZ, José miguel, VOZ SÁNCHEZ, Cristóbal, SHAH, A. v., PLATZ, R., ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Improved equivalent circuit and analytical model for amorphous silicon solar cells and modules. _IEEE Transactions on Electron Devices_. 1998. Vol. 45, núm. 2, pàgs. 423-429. [consulta: 28 de gener de 2026]. ISSN: 0018-9383. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/8584]