Miniatura

Fitxers

599025.pdf (295.7 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2011-09-19

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/98045

The configurational energy gap between amorphous and crystalline silicon

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201105333

Resum

The crystallization enthalpy of pure amorphous silicon (a-Si) and hydrogenated a-Si was measured by differential scanning calorimetry (DSC) for a large set of materials deposited from the vapour phase by different techniques. Although the values cover a wide range (200-480 J/g), the minimum value is common to all the deposition techniques used and close to the predicted minimum strain energy of relaxed a-Si (240 ± 25 J/g). This result gives a reliable value for the configurational energy gap between a-Si and crystalline silicon. An excess of enthalpy above this minimum value can be ascribed to coordination defects.

Matèries

Silici, Cristal·lització, Entalpia, Calorimetria

Matèries (anglès)

Silicon, Crystallization, Enthalpy, Calorimetry

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

KAIL, F., FARJAS SILVA, Jordi, ROURA GRABULOSA, Pere, SECOUARD, C., NOS AGUILÀ, Oriol, BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ROCA I CABARROCAS, P. (pere). The configurational energy gap between amorphous and crystalline silicon. _physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters_. 2011. Vol. 5, núm. 10-11, pàgs. 361-363. [consulta: 4 de febrer de 2026]. ISSN: 1862-6254. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/98045]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre