Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47502

Light induced defects in thermal annealed hydrogenated amorphous silicon

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

The metastable defects of a-Si:H samples annealed at temperatures in the 300-550°C range have been studied by photothermal deflection spectroscopy (PDS). The light-soaked samples show an increase in optical absorption in the 0.8 to 1.5 eV range. The metastable defect density decreases when the annealing temperature increases, while the defect density increases. This decrease in the metastable defect density shows an almost linear correlation with the decrease in the hydrogen content of the samples, determined by IR transmission spectroscopy and thermal desorption spectroscopy.

Citació

Citació

SERRA-MIRALLES, J., et al. Light induced defects in thermal annealed hydrogenated amorphous silicon. Solar Energy Materials and Solar Cells. 1992. Vol. 28, num. 1, pags. 49-57. ISSN 0927-0248. [consulted: 18 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/47502

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre