Miniatura

Fitxers

070217.pdf (269.8 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

1992

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47502

Light induced defects in thermal annealed hydrogenated amorphous silicon

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/0927-0248(92)90106-Y

Resum

The metastable defects of a-Si:H samples annealed at temperatures in the 300-550°C range have been studied by photothermal deflection spectroscopy (PDS). The light-soaked samples show an increase in optical absorption in the 0.8 to 1.5 eV range. The metastable defect density decreases when the annealing temperature increases, while the defect density increases. This decrease in the metastable defect density shows an almost linear correlation with the decrease in the hydrogen content of the samples, determined by IR transmission spectroscopy and thermal desorption spectroscopy.

Matèries

Espectroscòpia, Silici, Espectres d'absorció, Semiconductors amorfs, Semimetalls, Cèl·lules solars

Matèries (anglès)

Spectrum analysis, Silicon, Absorption spectra, Amorphous semiconductors, Semimetals, Solar cells

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

SERRA-MIRALLES, J., BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, SARDIN, Georges, ROCH I CUNILL, Carles, ASENSI LÓPEZ, José miguel, ANDREU I BATALLÉ, Jordi, MORENZA GIL, José luis. Light induced defects in thermal annealed hydrogenated amorphous silicon. _Solar Energy Materials and Solar Cells_. 1992. Vol. 28, núm. 1, pàgs. 49-57. [consulta: 23 de gener de 2026]. ISSN: 0927-0248. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47502]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre