Miniatura

Fitxers

TFM Omar Olmedo.pdf (1.1 MB)

Tipus de document

Treball de fi de màster

Data de publicació

2014-07

Llicència de publicació

cc-by-nc-nd (c) Olmedo Ferrer, Omar, 2014
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/59961

Inkjet printing of flexible MOS structures based on graphene and high-k dielectrics

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

MOS structures have been inkjet printed using silver, hafnium oxide (HfO2) and reduced graphene oxide (rGO). Main drawbacks with inkjet printing and electrospray deposition have been overcome. C-V characteristics of these devices have been measured and common phenomenology has been established. Deviations from known theory as well as technical improvement have been proposed.

Descripció

Màster Oficial en Física Avançada, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Curs: 2014, Tutors: Olga Casals i Albert Cirera

Matèries

Metall-òxid-semiconductors, Impressió digital, Treballs de fi de màster

Matèries (anglès)

Metal oxide semiconductors, Digital printing, Master's theses

Citació

Col·leccions

Màster Oficial - Física Avançada

Citació

OLMEDO FERRER, Omar. Inkjet printing of flexible MOS structures based on graphene and high-k dielectrics. [consulta: 23 de gener de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/59961]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre