Fitxers

148288.pdf (66.52 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1996-03-15

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24791

Epitaxial growth of Y-doped SrZrO3 films on MgO by pulsed laser deposition

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.361234

Resum

Epitaxial thin films of Y¿doped SrZrO3 have been grown on MgO(001) by pulsed laser deposition. The deposition process has been performed at temperatures of 1000¿1200¿°C and at an oxygen pressure of 1.5×10¿1 mbar. The samples are characterized by Rutherford backscattering spectrometry/channeling (RBS/C) and x¿ray diffraction (XRD). We found an epitaxial relationship of SrZrO3 (0k0) [101]¿MgO (001) [100]. Good crystalline quality is confirmed by RBS/C minimum yield values of 9% and a FWHM of 0.35° of the XRD rocking curve.

Matèries

Pel·lícules fines, Làsers, Ions, Superconductivitat

Matèries (anglès)

Thin films, Lasers, Ions, Superconductivity

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

BECKERS, L., et al. Epitaxial growth of Y-doped SrZrO3 films on MgO by pulsed laser deposition. Journal of Applied Physics. 1996. Vol. 79, num. 6, pags. 3337-3339. ISSN 0021-8979. [consulted: 22 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24791

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre