Carregant...
Miniatura

Tipus de document

Treball de fi de grau

Data de publicació

Llicència de publicació

cc-by-nc-nd (c) Rodríguez, 2019
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/141702

Synthesis and characterization of Ga2O3 and In2O3 nanowires

Títol de la revista

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

Vapour-Liquid-Solid (VLS) mechanism is employed to grow Ga2O3 and In2O3 nanowires (NWs) using Ga2O3:C, In2O3:C and metallic In as precursor materials. A first attempt to fabricate heterostructures of Ga2O3/In2O3 NWs is also presented, by growing In2O3 NWs on previously grown Ga2O3 NWs. The NWs have been structurally characterized with Scanning Electron Microscopy and X-Ray diffraction. Moreover, gas sensors based on individual Ga2O3 NWs have been fabricated and tested under different concentrations of relative humidity diluted in synthetic air, demonstrating effectiveness in gas sensing

Descripció

Treballs Finals de Grau de Física, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Curs: 2019, Tutors: Guillem Domènech Gil, Albert Romano Rodríguez

Citació

Citació

RODRÍGUEZ IGLESIAS, Alex. Synthesis and characterization of Ga2O3 and In2O3 nanowires. [consulta: 23 de gener de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/141702]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre