Carregant...
Tipus de document
Treball de fi de grauData de publicació
Llicència de publicació
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/141702
Synthesis and characterization of Ga2O3 and In2O3 nanowires
Títol de la revista
Autors
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Vapour-Liquid-Solid (VLS) mechanism is employed to grow Ga2O3 and In2O3 nanowires (NWs) using Ga2O3:C, In2O3:C and metallic In as precursor materials. A first attempt to fabricate heterostructures of Ga2O3/In2O3 NWs is also presented, by growing In2O3 NWs on previously grown Ga2O3 NWs. The NWs have been structurally characterized with Scanning Electron Microscopy and X-Ray diffraction. Moreover, gas sensors based on individual Ga2O3 NWs have been fabricated and tested under different concentrations of relative humidity diluted in synthetic air, demonstrating effectiveness in gas sensing
Descripció
Treballs Finals de Grau de Física, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Curs: 2019, Tutors: Guillem Domènech Gil, Albert Romano Rodríguez
Matèries (anglès)
Citació
Col·leccions
Citació
RODRÍGUEZ IGLESIAS, Alex. Synthesis and characterization of Ga2O3 and In2O3 nanowires. [consulta: 23 de gener de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/141702]