Miniatura

Fitxers

563498.pdf (226.78 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2009

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47148

Development of laser-fired contacts for amorphous silicon layers obtained by Hot-Wire CVD

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2008.10.049

Resum

In this work we study aluminium laser-fired contacts for intrinsic amorphous silicon layers deposited by Hot-Wire CVD. This structure could be used as an alternative low temperature back contact for rear passivated heterojunction solar cells. An infrared Nd:YAG laser (1064 nm) has been used to locally fire the aluminium through the thin amorphous silicon layers. Under optimized laser firing parameters, very low specific contact resistances (ρc ∼ 10 mΩ cm2) have been obtained on 2.8 Ω cm p-type c-Si wafers. This investigation focuses on maintaining the passivation quality of the interface without an excessive increase in the series resistance of the device.

Matèries

Deposició química en fase vapor, Alumini, Cèl·lules solars, Làsers, Corrosió i anticorrosius, Semiconductors

Matèries (anglès)

Chemical vapor deposition, Aluminum, Solar cells, Lasers, Corrosion and anti-corrosives, Semiconductors

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

MUÑOZ RAMOS, David, VOZ SÁNCHEZ, Cristóbal, BLANQUE, S., IBARZ, D., BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ALCUBILLA GONZÁLEZ, Ramón. Development of laser-fired contacts for amorphous silicon layers obtained by Hot-Wire CVD. _Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology_. 2009. Vol. 159-160, núm. 23-26. [consulta: 24 de gener de 2026]. ISSN: 0921-5107. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47148]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre