Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/13168
Strain-induced quenching of optical transitions in capped self-assembled quantum dot structures
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Strain-induced quenching of optical transitions has been found in capped self-assembled quantum dot structures. Light absorption at the
E
1
and
E
1
+
Δ
1
critical points of InSb islands buried in InP disappears for nominal InSb thicknesses lower than 10 monolayers as a consequence of the strain produced inside the islands by the cap layer. Certainly, this strain increases as the InSb deposition diminishes, changing the band lineup of the system from type-I to type-II and therefore drastically reducing the oscillator strengths of the island-related
E
1
and
E
1
+
Δ
1
transitions.
Matèries (anglès)
Citació
Citació
PRIETO, J. a., ARMELLES REIG, G., UTZMEIER, Thomas, BRIONES FERNÁNDEZ-POLA, Fernando, FERRER, J. c., PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, CORNET I CALVERAS, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon. Strain-induced quenching of optical transitions in capped self-assembled quantum dot structures. _Physical Review Letters_. 1998. Vol. 80, núm. 5, pàgs. 1094-1097. [consulta: 20 de gener de 2026]. ISSN: 0031-9007. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/13168]