Fitxers

147812.pdf (88.64 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2000

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47381

Microcrystalline silicon thin film transistors obtained by Hot-Wire CVD

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/S0921-5107(99)00252-4

Resum

Polysilicon thin film transistors (TFT) are of great interest in the field of large area microelectronics, especially because of their application as active elements in flat panel displays. Different deposition techniques are in tough competition with the objective to obtain device-quality polysilicon thin films at low temperature. In this paper we present the preliminary results obtained with the fabrication of TFT deposited by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD). Some results concerned with the structural characterization of the material and electrical performance of the device are presented.

Matèries

Silici, Pel·lícules fines, Microelectrònica, Deposició química en fase vapor, Transistors, Semiconductors, Cèl·lules solars

Matèries (anglès)

Silicon, Thin films, Microelectronics, Chemical vapor deposition, Transistors, Semiconductors, Solar cells

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

PUIGDOLLERS I GONZÁLEZ, Joaquim, et al. Microcrystalline silicon thin film transistors obtained by Hot-Wire CVD. Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology. 2000. Vol. 69-70, num. 526-529. ISSN 0921-5107. [consulted: 24 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/47381

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre