Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

061619.pdf (321.49 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1992

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32219

Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.351083

Resum

Transmission electron microscopy studies have been performed to characterize InxAl1−xAs layers grown by molecular beam epitaxy on (100) InP substrates. The first observations of compositional nonuniformities in strained InAlAs layers are reported. The coarse quasiperiodic structure present in each sample has been found to be dependent upon the growth parameters and the sample characteristics.

Matèries

Microscòpia electrònica, Pel·lícules fines, Feixos moleculars

Matèries (anglès)

Electron microscopy, Thin films, Molecular beams

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, et al. Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE. Journal of Applied Physics. 1992. Vol. 71, num. 5, pags. 2470-2472. ISSN 0021-8979. [consulted: 3 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/32219

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre