Miniatura

Fitxers

061619.pdf (321.49 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1992

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32219

Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.351083

Resum

Transmission electron microscopy studies have been performed to characterize InxAl1−xAs layers grown by molecular beam epitaxy on (100) InP substrates. The first observations of compositional nonuniformities in strained InAlAs layers are reported. The coarse quasiperiodic structure present in each sample has been found to be dependent upon the growth parameters and the sample characteristics.

Matèries

Microscòpia electrònica, Pel·lícules fines, Feixos moleculars

Matèries (anglès)

Electron microscopy, Thin films, Molecular beams

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, CORNET I CALVERAS, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon, CLARK, S. a., WILLIAMS, R. h.. Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE. _Journal of Applied Physics_. 1992. Vol. 71, núm. 5, pàgs. 2470-2472. [consulta: 10 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/32219]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre