Fitxers

105869.pdf (745.76 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1995-12-01

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24743

Nanometer-scale oxidation of Si(100) surfaces by tapping mode atomic force microscopy

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.360505

Resum

The nanometer¿scale oxidation of Si(100) surfaces in air is performed with an atomic force microscope working in tapping mode. Applying a positive voltage to the sample with respect to the tip, two kinds of modifications are induced on the sample: grown silicon oxide mounds less than 5 nm high and mounds higher than 10 nm (which are assumed to be gold depositions). The threshold voltage necessary to produce the modification is studied as a function of the average tip¿to¿sample distance.

Matèries

Microscòpia de força atòmica, Silici, Nanoelectrònica, Detectors, Camps elèctrics

Matèries (anglès)

Atomic force microscopy, Silicon, Nanoelectronics, Detectors, Electric fields

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Ciència dels Materials i Química Física)

Citació

PÉREZ MURANO, Francesc, et al. Nanometer-scale oxidation of Si(100) surfaces by tapping mode atomic force microscopy. Journal of Applied Physics. 1995. Vol. 78, num. 11, pags. 6797-6802. ISSN 0021-8979. [consulted: 27 of June of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24743

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre