Miniatura

Fitxers

585172.pdf (487.5 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2010-01-20

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/15726

Towards population inversion of electrically pumped Er ions sensitized by Si nanoclusters

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1364/OE.18.002230

Resum

This study reports the estimation of the inverted Er fraction in a system of Er doped silicon oxide sensitized by Si nanoclusters, made by magnetron sputtering. Electroluminescence was obtained from the sensitized erbium, with a power efficiency of 10¿2 %. By estimating the density of Er ions that are in the first excited state, we find that up to 20% of the total Er concentration is inverted in the best device, which is one order of magnitude higher than that achieved by optical pumping of similar materials.

Matèries

Terres rares, Semiconductors, Propietats òptiques, Amplificadors (Electrònica)

Matèries (anglès)

Semiconductors, Optical properties, Amplifiers (Electronics)

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)
<b>Publicacions de projectes de recerca finançats per la UE</b>

Citació

JAMBOIS, Olivier, GOURBILLEAU, Fabrice, KENYON, Anthony j., MONTSERRAT I MARTÍ, Josep, RIZK, Richard, GARRIDO FERNÁNDEZ, Blas. Towards population inversion of electrically pumped Er ions sensitized by Si nanoclusters. _Optics Express_. 2010. Vol. 18, núm. núm 3, pàgs. 2230-2235. [consulta: 15 de gener de 2026]. ISSN: 1094-4087. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/15726]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre