Miniatura

Fitxers

87180.pdf (1.52 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1994

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/9903

Electronic structure and properties of AlN

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.7115

Resum

The electronic structure of the wurtzite-type phase of aluminum nitride has been investigated by means of periodic ab initio Hartree-Fock calculations. The binding energy, lattice parameters (a,c), and the internal coordinate (u) have been calculated. All structural parameters are in excellent agreement with the experimental data. The electronic structure and bonding in AlN are analyzed by means of density-of-states projections and electron-density maps. The calculated values of the bulk modulus, its pressure derivative, the optical-phonon frequencies at the center of the Brillouin zone, and the full set of elastic constants are in good agreement with the experimental data.

Matèries

Propietats mecàniques, Semiconductors, Estructura electrònica

Matèries (anglès)

Mechanical properties, Semiconductors, Electronic structure

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Química Inorgànica i Orgànica)
Articles publicats en revistes (Ciència dels Materials i Química Física)

Citació

RUIZ SABÍN, Eliseo, ÁLVAREZ, Santiago (álvarez reverter), ALEMANY I CAHNER, Pere. Electronic structure and properties of AlN. _Physical Review B_. 1994. Vol. 49, núm. 11, pàgs. 7115-7123. [consulta: 23 de gener de 2026]. ISSN: 0163-1829. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/9903]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre