Miniatura

Fitxers

115846.pdf (103.92 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1997-05-15

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24784

Determination of the direct band-gap energy of InAlAs matched to InP by photoluminescence excitation spectroscopy

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.365253

Resum

A series of InxAl12xAs samples (0.51,x,0.55) coherently grown on InP was studied in order to measure the band-gap energy of the lattice matched composition. As the substrate is opaque to the relevant photon energies, a method is developed to calculate the optical absorption coefficient from the photoluminescence excitation spectra. The effect of strain on the band-gap energy has been taken into account. For x50.532, at 14 K we have obtained Eg05154966 meV. © 1997 American Institute of Physics.

Matèries

Microscòpia electrònica, Pel·lícules fines

Matèries (anglès)

Electron microscopy, Thin films

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

ROURA GRABULOSA, Pere, LÓPEZ DE MIGUEL, Manuel, CORNET I CALVERAS, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon. Determination of the direct band-gap energy of InAlAs matched to InP by photoluminescence excitation spectroscopy. _Journal of Applied Physics_. 1997. Vol. 81, núm. 10, pàgs. 6916-6920. [consulta: 24 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24784]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre