Miniatura

Fitxers

523185.pdf (672.09 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1995-08-15

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24822

Electron capture and emission by the Ti acceptor level in GaP

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.360097

Resum

Previously reported results on deep level optical spectroscopy, optical absorption, deep level transient spectroscopy, photoluminescence excitation, and time resolved photoluminescence are reviewed and discussed in order to know which are the mechanisms involved in electron capture and emission of the Ti acceptor level in GaP. First, the analysis indicates that the 3T1(F) crystal¿field excited state is not in resonance with the conduction band states. Second, it is shown that both the 3T2 and 3T1(F) excited states do not play any significant role in the process of electron emission and capture.

Matèries

Estructura electrònica, Propietats òptiques

Matèries (anglès)

Electronic structure, Optical properties

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

ROURA GRABULOSA, Pere, MORANTE I LLEONART, Joan ramon, GUILLOT, G., BREMOND, G., ULRICI, W.. Electron capture and emission by the Ti acceptor level in GaP. _Journal of Applied Physics_. 1995. Vol. 78, núm. 4, pàgs. 2441-2446. [consulta: 25 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24822]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre