Carregant...
Tipus de document
Treball de fi de grauData de publicació
Llicència de publicació
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/59730
Preparation and characterization of tin (II) oxide powder as p-type semiconductor for its deposition by ink jet printing
Títol de la revista
Autors
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
The synthesis through a simple chemical route of SnO powder was successfully done. By using a home-made Hall-effect setup, its p-type behaviour is confirmed, showing high hole mobility around 102 cm2·V-1·s-1 and low resistivity ρ=6.52 Ω·m. Moreover the powder exhibits an interesting behaviour with the temperature changing its conformation to SnO2 that is n-type semiconductor.
Descripció
Treballs Finals de Grau de Física, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Any: 2014, Tutora: Anna Vilà Arbones
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Col·leccions
Citació
VERGARA CRUZ, Jorge carlos. Preparation and characterization of tin (II) oxide powder as p-type semiconductor for its deposition by ink jet printing. [consulta: 28 de gener de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/59730]