Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Treball de fi de grau

Data de publicació

Llicència de publicació

cc-by-nc-nd (c) Vergara Cruz, 2014
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/59730

Preparation and characterization of tin (II) oxide powder as p-type semiconductor for its deposition by ink jet printing

Títol de la revista

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

The synthesis through a simple chemical route of SnO powder was successfully done. By using a home-made Hall-effect setup, its p-type behaviour is confirmed, showing high hole mobility around 102 cm2·V-1·s-1 and low resistivity ρ=6.52 Ω·m. Moreover the powder exhibits an interesting behaviour with the temperature changing its conformation to SnO2 that is n-type semiconductor.

Descripció

Treballs Finals de Grau de Física, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Any: 2014, Tutora: Anna Vilà Arbones

Citació

Citació

VERGARA CRUZ, Jorge Carlos. Preparation and characterization of tin (II) oxide powder as p-type semiconductor for its deposition by ink jet printing. [consulted: 4 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/59730

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre