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Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/65455
Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP
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Resum
Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes.
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VILÀ I ARBONÈS, Anna maria, PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, CORNET I CALVERAS, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon. Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP. _Boletin de la Sociedad Española de Ceramica y Vidrio_. 1997. Vol. 36, núm. 3, pàgs. 275-278. [consulta: 24 de gener de 2026]. ISSN: 0366-3175. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/65455]