Miniatura

Fitxers

119500.pdf (305.27 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1995

Llicència de publicació

cc-by (c) Polo Trasancos, Ma. del Carmen et al., 1995
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/99362

Crystal growth characterization of polycrystalline silicon films obtained by hot-wire chemical vapour deposition

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

Polycrystalline silicon (poly-Si) films were obtained at moderate temperatures (280-500ºC) from a mixture of silane and hydrogen in a hot wire CVD reactor. SEM and TEM results revealed a columnar growth of poly-Si grains with a preferential orientation of the crystals perpendicular to the substrate along the [110] direction. Plain view examinations along the [110] axis revealed a needled shape of the crystals 0.3-1 µm) with the largest axis randomly distributed on the plane. The high quality of the polycrystalline samples obtained makes the hot-wire technique very promising.

Matèries

Silici, Deposició química en fase vapor, Pel·lícules fines, Creixement cristal·lí

Matèries (anglès)

Silicon, Chemical vapor deposition, Thin films, Crystal growth

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

POLO TRASANCOS, Ma. del carmen, PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, CIFRE, J., BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, PUIGDOLLERS I GONZÁLEZ, Joaquim, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Crystal growth characterization of polycrystalline silicon films obtained by hot-wire chemical vapour deposition. _Institute of Physics Conference Series_. 1995. Vol. 146, núm. 503-506. [consulta: 5 de febrer de 2026]. ISSN: 0951-3248. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/99362]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre