Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

Llicència de publicació

cc-by (c) Illera Robles, Sergio et al., 2015
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/122630

Electronic transport in QD based structures: from basic parameters to opto-electronic device simulations

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

We present a theoretical model that explains the optoelectronic response of nanodevices based on large quantum dot (QD) arrays. The model is grounded on rate equations in the self-consistent field regime and it accurately describes the most important part of the system: the tunnel junctions. We demonstrate that the ratio between the optical terms and the transport rates determines the final device response. Furthermore, we showed that to obtain a net photocurrent the QD has to be asymmetrically coupled to the leads.

Matèries (anglès)

Citació

Citació

ILLERA ROBLES, Sergio, et al. Electronic transport in QD based structures: from basic parameters to opto-electronic device simulations. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 609, num. 012002. ISSN 1742-6588. [consulted: 12 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/122630

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre