Miniatura

Fitxers

653370.pdf (1.03 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2015

Llicència de publicació

cc-by (c) Illera Robles, Sergio et al., 2015
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/122630

Electronic transport in QD based structures: from basic parameters to opto-electronic device simulations

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

https://doi.org/10.1088/1742-6596/609/1/012002

Resum

We present a theoretical model that explains the optoelectronic response of nanodevices based on large quantum dot (QD) arrays. The model is grounded on rate equations in the self-consistent field regime and it accurately describes the most important part of the system: the tunnel junctions. We demonstrate that the ratio between the optical terms and the transport rates determines the final device response. Furthermore, we showed that to obtain a net photocurrent the QD has to be asymmetrically coupled to the leads.

Matèries

Optoelectrònica, Nanoelectrònica

Matèries (anglès)

Optoelectronics, Nanoelectronics

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)
Articles publicats en revistes (Institut de Nanociència i Nanotecnologia (IN2UB))

Citació

ILLERA ROBLES, Sergio, PRADES GARCÍA, Juan daniel, CIRERA HERNÁNDEZ, Albert, CORNET I CALVERAS, Albert. Electronic transport in QD based structures: from basic parameters to opto-electronic device simulations. _Journal of Physics: Conference Series_. 2015. Vol. 609, núm. 012002. [consulta: 14 de gener de 2026]. ISSN: 1742-6588. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/122630]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre