Miniatura

Fitxers

4Nanophotonics-TEM_III-V_NW_optoelectronic-Sonia-Conesa.pdf (1.29 MB)

Tipus de document

Treball de fi de màster

Data de publicació

2008-09

Llicència de publicació

cc-by-nc-nd (c) Conesa Boj, 2008
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/9822

HRTEM assessment of Wurtzite and Zinc-Blende phases in GaAs nanowires for optoelectronic devices

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

Semiconductor nanowires have recently attracted a lot of interest as potential building blocks for future electronic and optoelectronic nanodevices. In this work structural and optical properties of semiconductor nanowires are studied by means of high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and hotoluminescence (PL) analysis respectively. Several samples of GaAs nanowires grown under different As4 pressures are studied, and the presence of different optoelectronic properties are discussed in relation to the crystalline structures and defects found.

Descripció

Màster en Nanociència i Nanotecnologia. Curs 2007-2008. Directors: Francesca Peiró i Martínez and Jordi Arbiol i Cobos

Matèries

Nanotecnologia, Semiconductors, Microscòpia electrònica de transmissió, Fotònica, Propietats òptiques, Treballs de fi de màster

Matèries (anglès)

Nanotechnology, Semiconductors, Transmission electron microscopy, Photonics, Optical properties, Master's theses

Citació

Col·leccions

Màster Oficial - Nanociència i Nanotecnologia

Citació

CONESA BOJ, Sònia. HRTEM assessment of Wurtzite and Zinc-Blende phases in GaAs nanowires for optoelectronic devices. [consulta: 21 de gener de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/9822]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre