Carregant...
Tipus de document
Treball de fi de màsterData de publicació
Llicència de publicació
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/215215
Characterization of Single Electron Transistors for Quantum Dot based Spin Qubits
Títol de la revista
Autors
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
High interest is placed on semiconductor devices to achieve scalable qubit technologies essential for the development of quantum computers. Nanowires and single-electron transistors (SETs) are fundamental in this pursuit due to their potential for electron confinement with long coherence times. This work contributes to the advancements of quantum technologies by developing SET characterization setups. Advanced techniques such as lock-in AC measurements and cryogenic temperature analysis have been employed to ensure precise evaluation of these devices. The demanding fabrication process and detailed characterization provide valuable insights into the electrical performance and stability of SETs, thereby supporting their potential applications in scalable quantum computing.
Descripció
Màster Oficial de Ciència i Tecnologia Quàntiques / Quantum Science and Technology, Facultat de Física, Universitat de Barcelona. Curs: 2023-2024. Tutors: Francesc Pérez, Gorka Aizpurua, Marius Costache
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Citació
JAUREGI ABERASTURI, Urtzi. Characterization of Single Electron Transistors for Quantum Dot based Spin Qubits. [consulta: 9 de gener de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/215215]