Document type
Doctoral thesisVersion
Published versionPublication date
Publication license
Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/2445/41810
HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
Journal Title
Authors
Director/Tutor
Journal ISSN
Volume Title
Related resource
Abstract
[eng] The first block of this thesis deals with the study of the degradation process of tungsten catalytic filaments in the field of silicon deposition with the Hot Wire Chemical Vapour Deposition (HWCVD) technique. The development of technological solutions addressed to the filaments protection will also be dealt as well as the design, fabrication and performance of a novel system for the automatic replacement of used filaments in a HWCVD reactor. The second block deals with the scaling up of HWCVD towards large area deposition and the existence of a scaling law that may allow the deposition of microcrystalline silicon (µc-Si:H) at high rate preserving the material quality.
[cat] El primer bloc d'aquesta tesi es centra en l'estudi del procés de degradació dels filaments de tungstè catalítics en el camp de la deposició de silici amb la tècnica de dipòsit químic en fase vapor assistida per filament calent (HWCVD). També es tractarà el desenvolupament de solucions tecnològiques dirigides a la protecció filaments i al reemplaçament d’aquests de forma automàtica, sense interrompre el procés. El segon bloc tracta sobre l’escalat de la tècnica HWCVD cap a gran àrea i sobre l'existència d'una llei d'escala que permeti la deposició de silici microcristal•lí a altes velocitats, tot preservant la qualitat del material.
[cat] El primer bloc d'aquesta tesi es centra en l'estudi del procés de degradació dels filaments de tungstè catalítics en el camp de la deposició de silici amb la tècnica de dipòsit químic en fase vapor assistida per filament calent (HWCVD). També es tractarà el desenvolupament de solucions tecnològiques dirigides a la protecció filaments i al reemplaçament d’aquests de forma automàtica, sense interrompre el procés. El segon bloc tracta sobre l’escalat de la tècnica HWCVD cap a gran àrea i sobre l'existència d'una llei d'escala que permeti la deposició de silici microcristal•lí a altes velocitats, tot preservant la qualitat del material.
Subject (English)
Citation
Citation
NOS AGUILÀ, Oriol. HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H. [consulted: 16 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/41810