Fitxers

160001.pdf (77.8 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2001

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/98400

Analysis of bias stress on thin-film transistors obtained by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(00)01608-4

Resum

The stability under gate bias stress of unpassivated thin film transistors was studied by measuring the transfer and output characteristics at different temperatures. The active layer of these devices consisted of in nanocrystalline silicon deposited at 125 °C by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition. The dependence of the subthreshold activation energy on gate bias for different gate bias stresses is quite different from the one reported for hydrogenated amorphous silicon. This behaviour has been related to trapped charge in the active layer of the thin film transistor.

Matèries

Pel·lícules fines, Silici, Estabilitat, Semiconductors, Deposició química en fase vapor

Matèries (anglès)

Thin films, Silicon, Stability, Semiconductors, Chemical vapor deposition

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

DOSEV, D., et al. Analysis of bias stress on thin-film transistors obtained by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition. Thin Solid Films. 2001. Vol. 383, num. 1-2, pags. 307-309. ISSN 0040-6090. [consulted: 29 of June of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/98400

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre