Miniatura

Fitxers

060160.pdf (372.89 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1992

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32236

Properties of amorphous silicon thin films grown in square wave modulated silane rf discharges.

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.351229

Resum

Hydrogenated amorphous silicon (a‐Si:H) thin films have been obtained from pure SiH4 rf discharges by using the square wave modulation (SQWM) method. Film properties have been studied by means of spectroellipsometry, thermal desorption spectrometry, photothermal deflection spectroscopy and electrical conductivity measurements, as a function of the modulation frequency of the rf power amplitude (0.2-4000 Hz). The films deposited at frequencies about 1 kHz show the best structural and optoelectronic characteristics. Based upon the experimental results, a qualitative model is presented, which points up the importance of plasma negative ions in the deposition of a‐Si:H from SQWM rf discharges through their influence on powder particle formation.

Matèries

Semiconductors amorfs, Pel·lícules fines, Silici

Matèries (anglès)

Amorphous semiconductors, Thin films, Silicon

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

ANDÚJAR BELLA, José luis, BERTRÁN SERRA, Enric, CANILLAS I BIOSCA, Adolf, CAMPMANY I GUILLOT, Josep, SERRA-MIRALLES, J., ROCH I CUNILL, Carles, LLORET, A.. Properties of amorphous silicon thin films grown in square wave modulated silane rf discharges.. _Journal of Applied Physics_. 1992. Vol. 71, núm. 3, pàgs. 1546-1548. [consulta: 20 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/32236]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre