Miniatura

Fitxers

526801.pdf (41.79 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2000-09-01

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24825

Shot-noise suppression in Schottky barrier diodes

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.1288219

Resum

We give a theoretical interpretation of the noise properties of Schottky barrier diodes based on the role played by the long range Coulomb interaction. We show that at low bias Schottky diodes display shot noise because the presence of the depletion layer makes the effects of the Coulomb interaction negligible on the current fluctuations. When the device passes from barrier to flat band conditions, the Coulomb interaction becomes active, thus introducing correlation between different current fluctuations. Therefore, the crossover between shot and thermal noise represents the suppression due to long range Coulomb interaction of the otherwise full shot noise. Similar ideas can be used to interpret the noise properties of other semiconductor devices.

Matèries

Microelectrònica, Matèria condensada

Matèries (anglès)

Microelectronics, Condensed matter

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

GOMILA LLUCH, Gabriel, REGGIANI, L. (lino), RUBÍ CAPACETI, José miguel. Shot-noise suppression in Schottky barrier diodes. _Journal of Applied Physics_. 2000. Vol. 88, núm. 3079-3081. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24825]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre