Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió acceptadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/98399
Kelvin probe measurements of microcrystalline silicon on a nanometer scale using SFM
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Work function measurements on cross-sectioned microcrystalline pin silicon solar cells deposited by Hot-Wire CVD are presented. The experiment is realized by combining a modified Kelvin probe experiment and a scanning force microscope. The measured surface potential revealed that the built-in electric drift field is weak in the middle of the compensated intrinsic layer. A graded donor distribution and a constant boron compensation have to be assumed within the intrinsic layer in order to obtain coincidence of the measurements and simulations. The microcrystalline p-silicon layer and the n-type transparent conducting oxide form a reverse polarized diode in series with the pin diode.
Matèries (anglès)
Citació
Col·leccions
Citació
BREYMESSER, A., et al. Kelvin probe measurements of microcrystalline silicon on a nanometer scale using SFM. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2001. Vol. 66, núm. 1-4, pàgs. 171-177. ISSN 0927-0248. [consulta: 8 de maig de 2026]. Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/98399