Miniatura

Fitxers

005675.pdf (188.41 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1985

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32232

On the Hall effect in polycrystalline semiconductors

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.336313

Resum

Some problems involved in the interpretation of Hall‐effect measurements in polycrystalline semiconductors have not been resolved, especially when the contribution of the boundaries is appreciable. Using the Herring theory of transport properties in inhomogeneous semiconductors, we present an alternative interpretation to that previously proposed. This model permits the calculation of the Hall coefficient under general conditions.

Matèries

Semiconductors, Efecte Hall

Matèries (anglès)

Semiconductors, Hall effect

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

GARCÍA-CUENCA VARONA, María victoria, MORENZA GIL, José luis, CODINA I VIDAL, Josep ma. (josep maria). On the Hall effect in polycrystalline semiconductors. _Journal of Applied Physics_. 1985. Vol. 58, núm. 2, pàgs. 1080-1082. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/32232]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre