Miniatura

Fitxers

Prieto Viertel Guillermo.pdf (654.82 KB)

Tipus de document

Treball de fi de grau

Data de publicació

2018-06

Llicència de publicació

cc-by-nc-nd (c) Prieto, 2018
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/125195

Electroresistance in non-tunnelling ferroelectric junctions

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

Ferroelectric materials are of potential interest for their integration in memristive devices. Polarization switching in ferroelectric thin film junctions might lead to a change of the electronic band diagram of the device, which can result in important changes of resistance. This effect is known as electroresistance. Electroresistance in 12.2, 24.3 and 36.5 nm BTO thin films junctions is investigated. It is observed that electroresistance decreases with thickness. In addition, ferroelectric characterization allows to conclude that switchable ferroelectric polarization also decreases with thickness. Thus, we conclude that electroresistance is intimately linked to the ferroelectric switching process.

Descripció

Treballs Finals de Grau de Física, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Curs: 2018, Tutor: Ignasi Fina

Matèries

Ferroelectricitat, Teoria de la commutació, Treballs de fi de grau

Matèries (anglès)

Ferroelectricity, Switching theory, Bachelor's theses

Citació

Col·leccions

Treballs Finals de Grau (TFG) - Física

Citació

PRIETO VIERTEL, Guillermo. Electroresistance in non-tunnelling ferroelectric junctions. [consulta: 25 de febrer de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/125195]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre