Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/22078

Extension of the impedance field method to the noise analysis of a semiconductor junction: Analytical approach

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

We present an analytical procedure to perform the local noise analysis of a semiconductor junction when both the drift and diffusive parts of the current are important. The method takes into account space-inhomogeneous and hot-carriers conditions in the framework of the drift-diffusion model, and it can be effectively applied to the local noise analysis of different devices: n+nn+ diodes, Schottky barrier diodes, field-effect transistors, etc., operating under strongly inhomogeneous distributions of the electric field and charge concentration

Citació

Citació

GOMILA LLUCH, Gabriel, et al. Extension of the impedance field method to the noise analysis of a semiconductor junction: Analytical approach. Journal of Applied Physics. 1998. Vol. 83, num. 5, pags. 2610-2618. ISSN 0021-8979. [consulted: 3 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/22078

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre