Fitxers

543127.pdf (144.37 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2001

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/33761

Large Magnetoresistance in Fe/MgO/FeCo(001) Epitaxial Tunnel-Junctions on GaAs(001).

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.1404125

Resum

We present tunneling experiments on Fe~001!/MgO~20 Å!/FeCo~001! single-crystal epitaxial junctions of high quality grown by sputtering and laser ablation. Tunnel magnetoresistance measurements give 60% at 30 K, to be compared with 13% obtained recently on ~001!-oriented Fe/amorphous-Al2O3 /FeCo tunnel junctions. This difference demonstrates that the spin polarization of tunneling electrons is not directly related to the density of states of the free metal surface Fe~001! in this case but depends on the actual electronic structure of the entire electrode/barrier system.

Matèries

Magnetoresistència, Dispositius de memòria d'ordinador, Microelectrònica, Efecte túnel, Ferro

Matèries (anglès)

Magnetoresistance, Computer storage devices, Microelectronics, Tunneling (Physics), Iron

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

BOWEN, M., et al. Large Magnetoresistance in Fe/MgO/FeCo(001) Epitaxial Tunnel-Junctions on GaAs(001). Applied Physics Letters. 2001. Vol. 79, num. 11, pags. 1655-1657. ISSN 0003-6951. [consulted: 28 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/33761

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre