Fitxers

88046.pdf (1.63 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1994

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/9945

Determination of the electron density in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.13750

Resum

An optimized self-consistent method for determination of the quantal electron density is presented. It is applied, in the zero-temperature case, to devices with either partial or full donor ionization. A Thomas-Fermi approximation for the T=0 limit is developed and shown to be appropriate for systematic studies of the two-dimensional electron density, σ − . A suitable linear approximation is found that provides simple and accurate analytic expressions for σ − in terms of the physical parameters of the device.

Matèries

Electrònica quàntica, Física de l'estat sòlid

Matèries (anglès)

Quantum electronics, Solid state physics

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Quàntica i Astrofísica)

Citació

MARTORELL DOMENECH, Juan and SPRUNG, Donald W. L. Determination of the electron density in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructures. Physical Review B. 1994. Vol. 49, num. 19, pags. 13750-13759. ISSN 0163-1829. [consulted: 29 of June of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/9945

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre