Miniatura

Fitxers

112639.pdf (150.8 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

1996

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47412

Study of post-deposition contamination in low-temperature deposited polysilicon films

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(95)01300-8

Resum

The presence of hydrogen in polysilicon films obtained at low temperatures by hot-wire CVD and the post-deposition oxidation by air-exposure of the films are studied in this paper. The experimental results from several characterization techniques (infrared spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, secondary ion mass spectrometry and wavelength dispersive spectroscopy) showed that hydrogen and oxygen are homogeneously distributed at grain boundaries throughout the depth of the films. Hydrogen is introduced during the growth process and its concentration is higher in samples deposited at lower temperatures. Oxygen diffuses along the grain boundaries and binds to silicon atoms, mainly in Si 2O groups.

Matèries

Hidrogen, Deposició química en fase vapor, Temperatures baixes, Electroquímica

Matèries (anglès)

Hydrogen, Chemical vapor deposition, Low temperatures, Electrochemistry

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, PUIGDOLLERS I GONZÁLEZ, Joaquim, PEIRÓ, D., CIFRE, J., DELGADO NIETO, Juan carlos, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Study of post-deposition contamination in low-temperature deposited polysilicon films. _Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology_. 1996. Vol. 36, núm. 1-3, pàgs. 96-99. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 0921-5107. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47412]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre