Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32769
High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
We report on properties of high quality 60 nm thick InAlN layers nearly in-plane lattice-matched to GaN, grown on c-plane GaN-on-sapphire templates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Excellent crystalline quality and low surface roughness are confirmed by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and atomic force microscopy. High annular dark field observations reveal a periodic in-plane indium content variation (8 nm period), whereas optical measurements evidence certain residual absorption below the band-gap. The indium fluctuation is estimated to be 61.2% around the nominal 17% indium content via plasmon energy oscillations assessed by electron energy loss spectroscopy with sub-nanometric spatial resolution.
Matèries (anglès)
Citació
Citació
GACEVIC, Zarko, FERNÁNDEZ-GARRIDO, S., REBLED, J. m. (josé manuel), ESTRADÉ ALBIOL, Sònia, PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, CALLEJA PARDO, Enrique. High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy. _Applied Physics Letters_. 2011. Vol. 99, núm. 031103-1-031103-3. [consulta: 24 de gener de 2026]. ISSN: 0003-6951. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/32769]