Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

597577.pdf (1.35 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2011

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32769

High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

https://doi.org/10.1063/1.3614434

Resum

We report on properties of high quality 60 nm thick InAlN layers nearly in-plane lattice-matched to GaN, grown on c-plane GaN-on-sapphire templates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Excellent crystalline quality and low surface roughness are confirmed by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and atomic force microscopy. High annular dark field observations reveal a periodic in-plane indium content variation (8 nm period), whereas optical measurements evidence certain residual absorption below the band-gap. The indium fluctuation is estimated to be 61.2% around the nominal 17% indium content via plasmon energy oscillations assessed by electron energy loss spectroscopy with sub-nanometric spatial resolution.

Matèries

Optoelectrònica, Semiconductors, Estructura cristal·lina (Sòlids), Indi (Metall)

Matèries (anglès)

Optoelectronics, Semiconductors, Layer structure (Solids), Indium

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

GACEVIC, Zarko, et al. High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters. 2011. Vol. 99, num. 031103-1-031103-3. ISSN 0003-6951. [consulted: 15 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/32769

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre