Miniatura

Fitxers

517061.pdf (677.2 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1995

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/10914

Chaos in resonant-tunneling superlattices

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.52.7849

Resum

Spatiotemporal chaos is predicted to occur in n-doped semiconductor superlattices with sequential resonant tunneling as their main charge transport mechanism. Under dc voltage bias, undamped time-dependent oscillations of the current (due to the motion and recycling of electric field domain walls) have been observed in recent experiments. Chaos is the result of forcing this natural oscillation by means of an appropriate external microwave signal.

Matèries

Semiconductors, Dinàmica de fluids, Efecte túnel

Matèries (anglès)

Semiconductors, Fluid dynamics, Tunneling (Physics)

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física de la Matèria Condensada)

Citació

BULASHENKO, Oleg, BONILLA, L. l. (luis lópez). Chaos in resonant-tunneling superlattices. _Physical Review B_. 1995. Vol. 52, núm. 11, pàgs. 7849-7852. [consulta: 10 de abril de 2026]. ISSN: 0163-1829. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/10914]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre