Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/34662
Relaxation and derelaxation of pure and hydrogenated amorphous silicon during thermal annealing experiments
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
The structural relaxation of pure amorphous silicon a-Si and hydrogenated amorphous silicon a-Si:H materials, that occurs during thermal annealing experiments, has been analyzed by Raman spectroscopy and differential scanning calorimetry. Unlike a-Si, the heat evolved from a-Si:H cannot be explained by relaxation of the Si-Si network strain but it reveals a derelaxation of the bond angle strain. Since the state of relaxation after annealing is very similar for pure and hydrogenated materials, our results give strong experimental support to the predicted configurational gap between a-Si and crystalline silicon.
Matèries (anglès)
Citació
Col·leccions
Citació
KAIL, F., et al. Relaxation and derelaxation of pure and hydrogenated amorphous silicon during thermal annealing experiments. Applied Physics Letters. 2010. Vol. 97, núm. 3, pàgs. 031918-1-031918-3. ISSN 0003-6951. [consulta: 8 de maig de 2026]. Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/34662