Search


Current filters:


Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-6 of 6 (Search time: 0.011 seconds).
  • previous
  • 1
  • next
Item hits:
Issue DateTitleAuthor(s)
1-Jul-1997Atomic diffusion induced by stress relaxation in InGaAs/GaAs epitaxial layersRoura Grabulosa, Pere; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Bosch Estrada, José; López de Miguel, Manuel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.
15-Jan-1996Structure of 60° dislocations at the GaAs/Si interfaceVilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Ruterana, Pierre; Loubradou, Marc; Bonnet, Roland
1-Jul-1994Electrical transport quantum effects in the In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure on siliconGeorgakilas, Alexander; Christou, Aris; Zekentes, Konstantinos; Mercy, J. M.; Konczewic, L. K.; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert
1-Jul-1993Influence of mismatch on the defects in relaxed epitaxial InGaAs/GaAs(100) films grown by molecular beam epitaxyWestwood, David I.; Woolf, D. A.; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
1997Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InPVilà i Arbonès, Anna Maria; Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
1992Defectes en capes epitaxials d'arseniür de gal.li sobre siliciVilà i Arbonès, Anna Maria; Herms Berenguer, Atilà; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon