Fitxers

73504.pdf (343.14 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1993

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/8761

Application of a floating well concept to a latch-up-free, low-cost, smart power high-side switch technology

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1109/16.216442

Resum

The aim of this brief is to present an original design methodology that permits implementing latch-up-free smart power circuits on a very simple, cost-effective technology. The basic concept used for this purpose is letting float the wells of the MOS transistors most susceptible to initiate latch-up.

Matèries

Circuits integrats, Circuits electrònics

Matèries (anglès)

MOS integrated circuits, Power integrated circuits, Switching circuits

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

BAFLEUR, Marise, et al. Application of a floating well concept to a latch-up-free, low-cost, smart power high-side switch technology. IEEE Transactions on Electron Devices. 1993. Vol. 40, num. 7, pags. 1340-1342. ISSN 0018-9383. [consulted: 24 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/8761

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre