Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

73504.pdf (343.14 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1993

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/8761

Application of a floating well concept to a latch-up-free, low-cost, smart power high-side switch technology

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1109/16.216442

Resum

The aim of this brief is to present an original design methodology that permits implementing latch-up-free smart power circuits on a very simple, cost-effective technology. The basic concept used for this purpose is letting float the wells of the MOS transistors most susceptible to initiate latch-up.

Matèries

Circuits integrats, Circuits electrònics

Matèries (anglès)

MOS integrated circuits, Power integrated circuits, Switching circuits

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

BAFLEUR, Marise, et al. Application of a floating well concept to a latch-up-free, low-cost, smart power high-side switch technology. IEEE Transactions on Electron Devices. 1993. Vol. 40, num. 7, pags. 1340-1342. ISSN 0018-9383. [consulted: 19 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/8761

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre