El CRAI romandrà tancat del 24 de desembre de 2025 al 6 de gener de 2026. La validació de documents es reprendrà a partir del 7 de gener de 2026.
El CRAI permanecerá cerrado del 24 de diciembre de 2025 al 6 de enero de 2026. La validación de documentos se reanudará a partir del 7 de enero de 2026.
From 2025-12-24 to 2026-01-06, the CRAI remain closed and the documents will be validated from 2026-01-07.
 
Miniatura

Fitxers

567525.pdf (55.22 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1997

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32224

The valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.363895

Resum

High resolution x-ray photoelectron spectroscopy has been used to determine the valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces. In the oxide thickness range 1.6-4.4 nm the constant band-offset values of 4.49 and 4.43 eV have been obtained for the dry SiO2/Si(100) and the wet SiO2/Si(100) interfaces, respectively. The valence band alignment of dry SiO2/Si(111) (4.36 eV) is slightly smaller than the case of the dry SiO2/Si(100) interface.

Matèries

Semiconductors, Interfícies (Ciències físiques)

Matèries (anglès)

Semiconductors, Interfaces (Physical sciences)

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Història i Arqueologia)

Citació

ALAY, Josep lluís, HIROSE, M.. The valence band alignment at ultrathin SiO2/Si  interfaces. _Journal of Applied Physics_. 1997. Vol. 81, núm. 3, pàgs. 1606-1608. [consulta: 24 de desembre de 2025]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/32224]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre