Fitxers

567525.pdf (55.22 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1997

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32224

The valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.363895

Resum

High resolution x-ray photoelectron spectroscopy has been used to determine the valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces. In the oxide thickness range 1.6-4.4 nm the constant band-offset values of 4.49 and 4.43 eV have been obtained for the dry SiO2/Si(100) and the wet SiO2/Si(100) interfaces, respectively. The valence band alignment of dry SiO2/Si(111) (4.36 eV) is slightly smaller than the case of the dry SiO2/Si(100) interface.

Matèries

Semiconductors, Interfícies (Ciències físiques)

Matèries (anglès)

Semiconductors, Interfaces (Physical sciences)

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Història i Arqueologia)

Citació

ALAY, Josep Lluís and HIROSE, M. The valence band alignment at ultrathin SiO2/Si  interfaces. Journal of Applied Physics. 1997. Vol. 81, num. 3, pags. 1606-1608. ISSN 0021-8979. [consulted: 28 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/32224

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre