Fitxers

517048.pdf (254.06 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2000

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/22099

Impedance field and noise of submicrometer n+ nn+ diodes: analytical approach

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.1309120

Resum

A theoretical model for the noise properties of n+nn+ diodes in the drift-diffusion framework is presented. In contrast with previous approaches, our model incorporates both the drift and diffusive parts of the current under inhomogeneous and hot-carrier conditions. Closed analytical expressions describing the transport and noise characteristics of submicrometer n+nn+ diodes, in which the diode base (n part) and the contacts (n+ parts) are coupled in a self-consistent way, are obtained

Matèries

Díodes, Soroll, Camps elèctrics, Semiconductors, Mètode de Montecarlo, Electrònica de l'estat sòlid, Microelectrònica

Matèries (anglès)

Diodes, Noise, Electric fields, Semiconductors, Monte Carlo method, Solid state electronics, Microelectronics

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física de la Matèria Condensada)

Citació

BULASHENKO, Oleg, et al. Impedance field and noise of submicrometer n+ nn+ diodes: analytical approach. Journal of Applied Physics. 2000. Vol. 88, num. 8, pags. 4709-4716. ISSN 0021-8979. [consulted: 24 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/22099

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre