Miniatura

Fitxers

71200.pdf (566.99 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1992

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/9848

Composition modulation and inhomogeneous strain field in InxGa1-xAs/InP strained layers

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.46.10453

Resum

Optical-absorption measurements have been carried out on tensile and compressive In x Ga 1 − x As/InP strained layers. It is shown that the energetic dispersion of the heavy-hole relative to the light-hole subband σ HH / σ LH is the key to knowing the origin of the microscopic inhomogeneities. So, σ HH / σ LH <1 indicates the existence of composition inhomogeneities whereas σ HH / σ LH =2.8 reveals an inhomogeneous strain field.

Matèries

Electrònica de l'estat sòlid, Propietats òptiques, Luminescència, Semiconductors, Microscòpia electrònica de transmissió

Matèries (anglès)

Solid state electronics, Optical properties, Photoluminescence, Semiconductors, Transmission electron microscopy

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

ROURA GRABULOSA, Pere, BOSCH ESTRADA, José, MORANTE I LLEONART, Joan ramon. Composition modulation and inhomogeneous strain field in InxGa1-xAs/InP strained layers. _Physical Review B_. 1992. Vol. 46, núm. 16, pàgs. 10453-10456. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 0163-1829. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/9848]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre