Miniatura

Fitxers

521830.pdf (66.78 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1998-08-01

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24815

Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.368247

Resum

An electrically active defect has been observed at a level position of ∼ 0.70 eV below the conduction band edge (Ec) with an extrapolated capture cross section of ∼ 5×10−14 cm2 in epitaxial layers ..

Matèries

Estructura electrònica, Cristal·lografia

Matèries (anglès)

Electronic structure, Crystallography

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

DOYLE, J. p., LINNARSSON, M. k., PELLEGRINO, Paolo, KESKITALO, N., SVENSSON, Bengt g., SCHONER, A., NORDELL, N., LINDSTROM, J. l.. Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC. _Journal of Applied Physics_. 1998. Vol. 84, núm. 3, pàgs. 1354-1357. [consulta: 23 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24815]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre