Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24815
Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
An electrically active defect has been observed at a level position of ∼ 0.70 eV below the conduction band edge (Ec) with an extrapolated capture cross section of ∼ 5×10−14 cm2 in epitaxial layers ..
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Citació
DOYLE, J. P., et al. Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC. Journal of Applied Physics. 1998. Vol. 84, num. 3, pags. 1354-1357. ISSN 0021-8979. [consulted: 25 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24815