Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

521830.pdf (66.78 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1998-08-01

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24815

Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.368247

Resum

An electrically active defect has been observed at a level position of ∼ 0.70 eV below the conduction band edge (Ec) with an extrapolated capture cross section of ∼ 5×10−14 cm2 in epitaxial layers ..

Matèries

Estructura electrònica, Cristal·lografia

Matèries (anglès)

Electronic structure, Crystallography

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

DOYLE, J. P., et al. Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC. Journal of Applied Physics. 1998. Vol. 84, num. 3, pags. 1354-1357. ISSN 0021-8979. [consulted: 19 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24815

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre