Miniatura

Fitxers

088431.pdf (119.49 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

1993

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47504

On the determination of the interface density of states in a-Si:H/a-SiC:H multilayers

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(93)91133-N

Resum

This paper deals with the determination of the interface density of states in amorphous silicon-based multilayers. Photothermal deflection spectroscopy is used to characterize two series of aSi:H/aSi1-xCx:H multilayers, and a new approach in the treatment of experimental dada is used in order to obtain accurate results. From this approach, an upper limit of 10^10 cm-2 is determined for the interface density of states.

Matèries

Semiconductors amorfs, Optoelectrònica, Espectroscòpia, Silici, Semimetalls

Matèries (anglès)

Amorphous semiconductors, Optoelectronics, Spectrum analysis, Silicon, Semimetals

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, PUIGDOLLERS I GONZÁLEZ, Joaquim, ASENSI LÓPEZ, José miguel, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. On the determination of the interface density of states in a-Si:H/a-SiC:H multilayers. _Journal of non-Crystalline Solids_. 1993. Vol. 164-166, núm. 2, pàgs. 861-864. [consulta: 23 de gener de 2026]. ISSN: 0022-3093. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47504]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre